2021.04-至今 复旦大学 半导体材料与器件 博士后

2019.10-2021.04 香港科技大学 半导体射频器件 博士后

2014.09-2019.06 北京大学 半导体光电子学 理学博士

2010.09-2014.06 吉林大学 微电子学（排名：1/130） 理学学士

1、科技部 863 专项 “大尺寸硅衬底氮化镓基电力电子材料生长技术研究” 作为科研主要参与者，参与设计了独特的缓冲层结构，实现高质量、位错密度和应力均较小的氮化镓外延膜， 实现了性能优良的异质结构。

2、科技部 863 专项 “氮化镓高效率射频放大器” 氮化镓功率器件的应用包括卫星通讯、通信基站、化学生物探测等，作为主要科研参与者，研究目前制约氮 化镓高功率器件的核心问题，并创建合理的解释寻找决方案。

3、国家自然科学基金 “Si 衬底上基于 C 掺杂的低位错密度 GaN 基异质结构的应力与杂质行为调控” 作为主要科研参与者，提供低位错密度的 GaN 外延膜并改变 C 浓度的掺杂。

4、国家重点研发计划“大失配衬底上 GaN 基异质结构中应力与缺陷调控及多物理场下的载流子输运性质” 作为主要科研参与者，分析了位错是导致异质外延中应力释放的主要途径，设计了独特的位错过滤层，并在 此基础上控制碳杂质浓度，提高了载流子迁移率，为器件设计提供了高质量的氮化镓外延膜。

5、国家自然科学基金“Si 衬底上氮化物半导体异质结构材料和功率电子器件相关物理问题研究” 作为主要科研参与者，研究 Si 衬底 GaN 基异质结构的外延生长及其应力和缺陷控制。

1. J. Zhang, X. L. Yang, J. P. Cheng, et al, “Enhanced transport properties in InAlGaN/AlN/GaN heterostructures on Si  (111) substrates: The role of interface quality”, Appl. Phys. Lett. 110, 172101 (2017).

2. J. Zhang, X. L. Yang，Y. X. Feng，et al, “Vacancy-engineering-induced dislocation inclination in III-nitrides on Si  学习工作经历 张 洁 科研经历 专业技能 奖励荣誉 部分研究成果substrates”, Phys. Rev. Materials 4, 073402 (2020).

3. J. Zhang, X. L. Yang，Y. X. Feng，et al, “A new stress control method through suppressing dislocation inclination for  the heteroepitaxy of GaN on Si” (in preparation).

4. J. Zhang, K. J. Chen, “High-frequency AlGaN/GaN HEMTs on extreme low resistivity Si substrates with  Vacancy-engineering-induced thick buffer” (in preparation).

5. Y. Li, M. J. Wang, R. Y. Yin, J. Zhang, M. Tao, B. Xie, Y. L. Hao, X. L. Yang, C. P. Wen, and B. Shen, Quasi-Vertical GaN Schottky Barrier Diode on Silicon Substrate With 1010 High On/Off Current Ratio and Low  Specific On-Resistance, IEEE Electron Device Lett. 41, 329 (2020).

6. Y. X. Feng, X. L. Yang, Z. H. Zhang, D. Kang, J. Zhang, K. H. Liu, X. Z. Li, J. F. Shen, F. Liu, T. Wang, P. F. Ji, F. J.  Xu, N. Tang, T. J. Yu, X. Q. Wang, D. P. Yu, W. K. Ge, and Bo Shen, “Epitaxy of Single-Crystalline GaN Film on  CMOS-Compatible Si(100) Substrate Buffered by Graphene”, Adv. Funct. Mater. 1905056 (2019).

7. S. Wu, X. L. Yang, H. H. Zhang, L. Shi, Q. Zhang, Q. Y. Shang, Z. M. Qi, Y. Xu, J. Zhang, N. Tang, X. Q. Wang, W.  K. Ge, K. Xu, and B. Shen, “Unambiguous Identification of Carbon Location on the N Site in Semi-insulating  GaN”, Phys. Rev. Lett. 121, 145505 (2018).

8. J. P. Cheng, X. L. Yang, J. Zhang, A. Q. Hu, et al,“Edge Dislocations Triggered Surface Instability in Tensile Epitaxial Hexagonal Nitride Semiconductor”, ACS Applied Materials & Interfaces 8, 34108 (2016).

9. Y. X. Feng, X. L. Yang, J. P. Cheng, J. Zhang, et al, “Anisotropic strain relaxation and high quality AlGaN/GaN  heterostructures on Si (110) substrates”, Appl. Phys. Lett. 110, 192104 (2017).

10. J. P. Cheng, X. L. Yang, L. Sang, L. Guo, J. Zhang, et al, “Growth of high quality and uniformity AlGaN/GaN  heterostructures on Si substrates using a single AlGaN layer with low Al composition”, Scientific Reports 6, 23020  (2016).