关于SiCPower

为加快实施创新驱动发展战略,复旦大学与华大半导体联合申报的上海碳化硅功率器件工程技术研究中心(SiCPower)于2020年被上海市科委批准建立。通过和半导体器件生产和电力电子应用企业紧密合作,致力于研发宽禁带半导体,特别是碳化硅(SiC)材料为核心的新型功率器件、工艺和模块,加速下一代碳化硅基功率电子的广泛应用。

MORE >

五大领域

宽禁带半导体材料生长

聚焦SiC 材料单晶衬底生长技术和外延生长技术的科学研究,研究影响大尺寸低缺陷SiC单晶生长与外延质量的关键科学问题。

MORE>

功率器件物理与设计

专注芯片制造环节及制造技术研发,加快SiC半导体技术产业化

MORE>

先进制造工艺及产业化

和国内领先的SiC器件制造中试线和生产线合作,共同开发关键技术,及器件研发中的特殊工艺,提供产业化解决方案。

MORE>

功率模块及可靠性测试

从封装材料,工艺,乃至结构设计上进行突破,将宽禁带半导体器件的优势完全释放,在优势领域迅速替代传统硅基器件,满足市场需求的快速增长

MORE>

电力电子技术

基于宽禁带功率半导体器件的电力电子系统集成与应用技术,实现宽禁带功率半导体器件智能驱动与健康管理

MORE>

师资力量

2019年中心启动团队建设。现有研究团队17人,其中特聘教授3人,研究员/副研究员14人。计划3年内PI规模达到30人左右,聘用专职科研人员、科研博士后、硕士和博士生等50名左右。中心下设领导小组,技术委员会,综合管理办公室,实行主任负责制。中心长期招收微电子、电力电子器件与应用、半导体物理与材料、半导体制造装备、材料科学与工程等相关专业博士研究生、博士后、研究员及工程师,提供优越的科研条件和稳定的支持,请应聘者提供个人简历及论文代表作发送至gyycyzm@fudan.edu.cn

MORE >

新闻中心

中心动态

消息通知

媒体新闻

合作产业