1. 半导体物理与器件；
2. 宽带半导体器件物理、工艺、测试、产业化及应用；
3. 器件模拟及仿真；
4. 电力系统；
2025.10 - 至今， 复旦大学，智能机器人与先进制造创新学院，特聘教授。
2019.10-2025.05，复旦大学，工程与应用技术研究院，特聘教授；
2019.04-2019.08，Alpha&Omega Semiconductors，技术部，资深主任工程师；
2018.04-2019.04，北卡州立大学，电子和计算机系，客座教授；
2017.10-2019.04，电力美国技术研究院，电力半导体器件部，主任；
2005.02-2017.10，Cree, Inc，研发部，高级科学家；
2001.10-2005.02，Rockwell Scientific Company，研发部，研究员；
1997.09-2001.04，University of South Carolina，电子工程，博士；
1994.09-1997.08，清华大学，电力电子技术，硕士；
1987.09-1992.08，清华大学，微电子学，学士；
主持：
1、上海市科委——1200V碳化硅平面MOSFET器件工艺制造关键技术及芯片开发与应用，125万，2020年-2023年；
2、国家自然科学基金外专基金——“新型碳化硅半导体功率器件研究”，208万，2022年-2023年；
3、XX公司横向项目——1200V SiC 器件产品开发，300万，2020年-2022年；
4、XX公司横向项目——SiC JBS、MOSFET工艺平台的技术支持与服务，300万，2020年-2021年；
5、XXX公司横向项目——SiC MOSFET 芯片关键研发，150万，2023年-2024年；
1. J. Wang, V. Veliadis, J. Zhang, Y. Alsmadi, P. Wilson, and M. Scott, “A roadmap for Silicon Carbide adoption in power conversion applications”, IEEE Power Electronics Magazine, Vol. 5, No. 2, June 2018.
2. V. Veliadis, R. Kaplar, J. Zhang, M. Bakowski, S. Khalil, and P. moens, “WBG and UWBG materials and devices are examed in a new working group”, IEEE Power Electronics Magazine, Vol. 5, No. 2, June 2018.
3. H. O’Briean, A. Ogunniyi, J. Zhang, and B. Hull, “SiC MOSFETs designed and evaluated for linear mode operation”, 2017 IEEE 5th Workshop on Wide Bandgap Power Devices and Applications (WiPDA).
4. P. A. Ivanov, V. S. Yuferev, M. E. Levinshtein, J. Q. Zhang, J. W. Palmour, "Collector Conductivity Modulation in 1200-V 4H-SiC BJTs", Materials Science Forum, Vol. 897, pp. 563-566, 2017.
5. Q. J. Zhang, G. Wang, C. Jonas, C. Capell, S. Pickle, P. Butler, D. J. Lichtenwalner, E. van Brunt,H. Ryu, J. Richmond, B. Hull, J. Casady, S. Allen, J. W. Palmour, J. Q. Zhang, "Next Generation Planar 1700 V, 20 mΩ 4H-SiC DMOSFETs with Low Specific On-Resistance and High Switching Speed", Materials Science Forum, Vol. 897, pp. 521-524, 2017.
开设课程《现代功率半导体器件基础》
在《现代功率半导体器件基础》课程中，基于功率器件的发展历程，系统且全面地讲述了PiN、GTO、JFET、MOSFET、IGBT等器件特性，以及半导体材料革新带来的机遇和挑战。通过项目驱动与线上线下混合式教学法，调动学生全程参与功率半导体器件设计，鼓励学生创新，结合课程内容与前沿的技术报告，指导学生进行器件仿真设计，专利申请，帮助学生深入理解器件特性与应用场景。课程建设成果显著。学生通过项目实践，掌握了高压SiC JBS、低损耗SiC MOSFET器件设计方法。通过精心制作的自编讲义，涵盖详细的课程材料和实践指导，完善教学资源，为学生提供丰富的学习和实践参考。
本科院校及专业：北京工业大学，集成电路工程；
复旦入学时间及专业：2022年9月，电子信息；
