中心是物理电子学硕士、博士学位授予点。招收宽禁带半导体物理与器件、半导体材料与集成电路、微纳器件系统集成、器件及可靠性测试、电力电子技术，等方向的研究生。
中心负责人张清纯教授，现任复旦大学特聘教授，博士生导师，上海碳化硅功率器件工程技术研究中心主任，复旦大学超越照明研究所副所长，专长于宽禁带半导体物理与器件的教学、科研、应用与产业化。长期从事SiC器件的研发和产业化，是该领域国际知名专家。迄今撰写过100余篇科技论文和SiC器件领域专著；多次受邀在国际碳化硅、功率半导体的学术会议上作大会报告；作为第一和合作发明人，拥有75多项美国专利；多次担任ISPSD技术委员会成员和碳化硅器件分会主席；曾任国际电力电子技术路线图研讨会联合主席等。针对以下方向招聘博士生数名：
1)宽禁带半导体材料生长与缺陷表征技术
2)宽带半导体功率器件设计与先进制造工艺
3)高频高功率先进封装技术与可靠性测试
4)高频高功率电力电子技术
报考条件：
1.中华人民共和国公民。
2.拥护中国共产党的领导，具有正确的政治方向，热爱祖国，愿意为社会主义现代化建设服务，遵纪守法，品行端正。
3.硕士研究生毕业或已获硕士学位的人员，应届硕士毕业生。（1）预计于2021年应届硕士毕业的考生，最迟须在博士生入学前硕士毕业或取得硕士学位。（2）只有硕士学位证书、没有硕士毕业证书的考生，在资格审查时须出示硕士学位证书，否则按同等学力报考对待。（3）持在国（境）外获得硕士学位证书的考生，须通过教育部留学服务中心认证，并在资格审查时提交认证报告。（4）考生如以同等学力身份报考，必须同时具备下列条件：①获得学士学位后在所报考学科专业领域内工作6年以上（含6年，从获得学士学位之日算起到博士生入学之日）；②已修完至少5门所报考学科专业的硕士学位课程且成绩合格（须提供授课单位的成绩证明）；③已在所报考学科专业或相近领域以第一或第二作者（完成人）身份在国内外核心期刊上至少发表过1篇学术论文，或获得过省部级以上科研成果奖（排名前五名）。（5）同等学力考生报考，具体见《复旦大学2021年招收攻读博士学位研究生专业目录》的院系备注栏。
4.身体健康状况符合国家规定的体检标准（同高考体检标准）。
5.提供两名所报考学科专业领域教授或相当专业技术职称专家的书面推荐意见。报考定向就业博士生者，还须提供所在单位组织人事部门同意报考的证明。
详情见复旦大学2021年招收攻读博士学位研究生章程：http://www.gsao.fudan.edu.cn/e7/cc/c15159a255948/page.htm
中心招收攻读博士学位研究生专业目录详见复旦研究生招生网：https://gsas.fudan.edu.cn/bszsml2021/index.html
请有意向者提供个人简历，硕士学位论文摘要，发表论文目录和1-3篇代表作全文，以及其他可以证明本人能力和学术水平的相关资料， 发送至Qingchun_zhang@fudan.edu.cn邮件请注明报考名称。中心将择优详谈。
