工程中心介绍
工程中心致力创建具备国际领先水平的宽禁带材料缺陷研究、器件制造工艺开发、元器件设计、模块封装以及可靠性测试、先进电力电子技术创新开放平台及高层次工程技术型人才培养中心和产业化辐射中心。自中心成立以来，已承担多项宽禁带功率器件和模块重大项目，包括和龙头企业研发碳化硅器件的特色新工艺，与国家重点实验室开发超高压碳化硅器件和封装，参与多项省市科技重大专项，等。中心正在积极建设宽禁带半导体工艺研发创新平台、和国际知名企业共建创新中心和研究院。
中心负责人张清纯教授，现任复旦大学特聘教授，博士生导师，上海碳化硅功率器件工程技术研究中心主任，复旦大学超越照明研究所副所长，专长于宽禁带半导体物理与器件的教学、科研、应用与产业化。长期从事SiC器件的研发和产业化，是该领域国际知名专家。迄今撰写过100余篇科技论文和SiC器件领域专著；多次受邀在国际碳化硅、功率半导体的学术会议上作大会报告；作为第一和合作发明人，拥有75多项美国专利；多次担任ISPSD技术委员会成员和碳化硅器件分会主席；曾任国际电力电子技术路线图研讨会联合主席等。
因研究工作需要，中心长期招收以下重点方向的人才：
1)宽禁带半导体材料生长与缺陷表征技术
2)宽带半导体功率器件设计与先进制造工艺
3)超宽禁带半导体材料、器件及工艺研究
4)高频高功率先进封装技术与可靠性测试
5）碳化硅高频电力电子技术
职位要求：
1.具有远大学术志向、创新精神、较强科研能力和社会责任感；
2.已获得博士学位，年龄原则上不超过35周岁，特别优秀者年龄条件可适当放宽；
3.具有物理、材料、微电子、电气工程等方向坚实的专业基础和较深的学术造诣，对宽禁带半导体材料与器件研究领域有足够的学科背景支持和较好的研究积累与想法，从事过交叉学科研究者优先考虑；
4.具备以独立PI开展研究工作的能力；
5.有宽禁带材料与器件领域院士或国际知名专家推荐者优先考虑；
6.原则上要求至少有1站博士后或两年工作经历。
1)薪资待遇参照复旦大学相关标准，博士后公寓和子女入学等按照学校相关政策执行，课题组根据个人业绩发放绩效，优秀应聘者待遇从优。
2)提供优越的科研条件和稳定的支持，鼓励按照国家和地方相关政策申报各项基金、项目等。
3)鼓励参加国内外学术会议，提供与国内外高水平实验室进行学术交流的机会。
请应聘者提供个人简历，以及其他可以证明本人能力和学术水平的相关资料，
发送至 Qingchun_zhang@fudan.edu.cn 邮件请注明应聘名称。实验室将择优通知面试，并提供住宿和往返车费，待遇从优，详情面谈。
