上海碳化硅功率器件工程技术研究中心（下简称“中心”），旨在推动上海及长三角碳化硅器件技术研究和产业化。为加快实施创新驱动发展战略，由复旦大学与华大半导体联合申报的上海碳化硅功率器件工程技术研究中心（SiCPOWER）于2019年2月11日被上海市科委批准建立。中心通过和半导体器件生产、电力电子应用企业紧密合作，致力于研发基于宽禁带半导体，特别是碳化硅（SiC）材料为核心的新型功率器件、工艺和模块，加速下一代碳化硅基功率电子的广泛应用。 上海碳化硅功率器件工程技术研究中心下设领导小组，专家委员会，综合管理办公室，中心实行主任负责制。中心聚焦五大研究方向：宽禁带半导体材料生长、功率器件物理与设计、先进制造工艺及产业化、功率模块及可靠性测试、电力电子技术。目前正在筹建四个实验室：华大半导体功率器件创新中心、光华临港宽禁带功率器件及应用创新平台、复旦大学宽禁带半导体技术实验室，以及复旦大学宁波研究院宽禁带半导体材料与器件研究所。利用复旦大学集成电路国家重点实验室，以及其他合作科研院所和企业建设的研发线进行各科研方向的研究。综合管理办公室另下设产业孵化、外联合作、行政管理、人才引进办公室。